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c，跨省跨区实验测量的(红点)和DFT计算的能带隙的与平均电位移场(DAV)的关系。交易背景介绍以碳纳米材料为基础的电子学研究一直是学术界和工业界关注的热点。

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广泛可调谐的带隙，交易以及高稳定性、大载流子迁移率和高开/关比的组合，使C3N双层成为碳基FET以及其他电子和光电器件的有前途的材料。尽管已经观察到各种二维材料的大量带隙调制，未艾但碳基材料显示出有限的带隙调节。

在1.4Vnm−1的外加电场作用下，绿电AB层的带隙调制变化为0.6eV。

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